Oct, 31, 2024

Vol.57 No.5

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Review

  • KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering
  • Volume 36(4); 2003
  • Article

Review

KISE Journal of Korean Institute of Surface Engineering 2003;36(4):334-338. Published online: Nov, 30, -0001

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Dry Etching of AlGaAs and InGaP in a Planar Inductively Coupled B$Cl_3$ Plasma

  • ;;;;;;;S. J. Pearton;
    ;;;;;;;Department of Materials Sci. and Eng., University of Florida;
Abstract

$BCl_3$고밀도 평판형 유도결합 플라즈마(High Density Planar Inductively Coupled Plasma)를 이용하여 AlGaAs와 InGaP의 건식식각에 대하여 연구하였다. 본 실험에서는 ICP 소스파워(0∼500 W), RIE 척 파워(0-150 W), 공정압력(5∼15 mTorr)의 변화에 따른 AlGaAs와 InGaP의 식각률, 식각단면 그리고 표면 거칠기 등을 분석 하였다. 또, 공정 중 OES(Opt

Keywords AlGaAs;InGaP;ICP;Dry etching;